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元件参数资料
>
参数目录43332
> AON7200 MOSFET N CH 30V 40A DFN3X3EP
型号:
AON7200
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Alpha & Omega Semiconductor Inc
描述:
MOSFET N CH 30V 40A DFN3X3EP
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
AON7200 PDF
标准包装
1
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
40A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
8 毫欧 @ 20A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
20nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1300pF @ 15V
功率 - 最大
3.1W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-VDFN 裸露焊盘
供应商设备封装
8-DFN-EP(3x3)
包装
标准包装
其它名称
785-1374-6
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